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美國(guó)同意三星和SK海力士向其中國(guó)工廠提供設(shè)備

10月10日消息,10月9日,韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào),美國(guó)同意三星電子和SK海力士向其位于中國(guó)的工廠提供設(shè)備,無需其它許可。

據(jù)《中國(guó)基金報(bào)》報(bào)道,韓國(guó)總統(tǒng)辦公室經(jīng)濟(jì)首席秘書崔相穆在首爾龍山總統(tǒng)府大樓舉行的記者會(huì)上表示,美國(guó)政府作出最終決定,將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在華工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備,無需其它許可。

崔相穆透露,美方已將這一決定通知三星電子和SK海力士等相關(guān)企業(yè),將自即日起生效。

全球最大和第二大存儲(chǔ)芯片制造商三星和SK海力士已在中國(guó)的芯片生產(chǎn)設(shè)施投資數(shù)十億美元,并對(duì)此舉表示歡迎。

此前,韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)在國(guó)內(nèi)擴(kuò)產(chǎn),買設(shè)備,需要美國(guó)批準(zhǔn)。

美國(guó)2022年10月頒布了禁止美企向中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)出口部分尖端半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的規(guī)定。不過,在三星和SK海力士的強(qiáng)烈反對(duì)下,兩家韓企的在華工廠獲得了進(jìn)口相關(guān)設(shè)備的豁免權(quán),無需向美政府申請(qǐng)額外許可,豁免期限為1年,至2023年10月11日。

9月22日,產(chǎn)業(yè)通商資源部長(zhǎng)官方文圭在首爾會(huì)見了美國(guó)商務(wù)部副部長(zhǎng)唐·格雷夫斯,尋求美國(guó)商務(wù)部的“積極合作”,以解決芯片出口管制和投資補(bǔ)貼方面的不確定性。

另外,2023年3月,美國(guó)商務(wù)部發(fā)布了《芯片和科學(xué)法》中的所謂“護(hù)欄條款”,對(duì)獲得美國(guó)補(bǔ)貼的半導(dǎo)體制造商的在華業(yè)務(wù)施加嚴(yán)格限制。

2023年5月,韓國(guó)政府對(duì)“護(hù)欄條款”提出正式意見,認(rèn)為條款不能以給在美國(guó)投資的企業(yè)帶來不正當(dāng)負(fù)擔(dān)的方式履行。

韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》分析稱,由于美國(guó)的技術(shù)控制和出口限制,韓國(guó)正失去中國(guó)巨大的半導(dǎo)體市場(chǎng)。如果中國(guó)的半導(dǎo)體自主速度加快,高度依賴半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的韓國(guó)經(jīng)濟(jì)必然會(huì)蒙受損失。

韓國(guó)2023年的國(guó)稅收入將較預(yù)期減少59萬億韓元(約合3247億元人民幣),主要原因之一就是半導(dǎo)體企業(yè)業(yè)績(jī)不振。

三星和SK海力士在中國(guó)市場(chǎng)深耕多年。三星電子在中國(guó)西安生產(chǎn)NAND閃存,SK海力士在無錫工廠生產(chǎn)DRAM芯片,在大連生產(chǎn)NAND閃存,兩家公司都投資了數(shù)十億美元。

Trend Force集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示,截至2023年6月末,這兩家韓國(guó)企業(yè)控制著全球近70%的動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(DRAM)和50%的閃存芯片(NAND)市場(chǎng)。

據(jù)英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》8月6日?qǐng)?bào)道,韓國(guó)國(guó)會(huì)議員兼半導(dǎo)體專家梁香子接受采訪時(shí)批評(píng)了拜登政府的芯片戰(zhàn)略,稱遏制中國(guó)獲取或生產(chǎn)先進(jìn)芯片能力的做法,有可能破壞美國(guó)與亞洲盟友的關(guān)系。

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2023-10-10
美國(guó)同意三星和SK海力士向其中國(guó)工廠提供設(shè)備
無需其它許可。

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