開源證券最新研報(bào)指出，存儲市場周期已進(jìn)入復(fù)蘇通道。NAND Flash價格預(yù)計(jì)將于2025年Q2企穩(wěn)回升，DRAM領(lǐng)域則因DDR4產(chǎn)能收縮預(yù)期引發(fā)漲價行情。在AIDC產(chǎn)業(yè)大周期啟動背景下，國產(chǎn)存儲模組廠商迎來戰(zhàn)略機(jī)遇期。

研報(bào)數(shù)據(jù)顯示，存儲設(shè)備在數(shù)據(jù)中心BOM成本占比已達(dá)40%，預(yù)計(jì)未來將提升至50%。AI算力爆發(fā)對存儲系統(tǒng)提出新要求，推動行業(yè)向高速傳輸、大容量存儲和高集成度方向發(fā)展。

分析師認(rèn)為，隨著全球數(shù)據(jù)量持續(xù)激增，存儲芯片作為數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施核心組件，其戰(zhàn)略價值將進(jìn)一步凸顯。國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈有望在本次行業(yè)上行周期中實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破與市場份額雙提升。

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