[據(jù)IBM公司2015年7月9日報道] IBM公司日前宣布，該公司已經生產出半導體工業(yè)首片7納米工藝節(jié)點測試芯片，芯片內包含200億可以實際工作的晶體管。
為了將半導體技術發(fā)展到7納米工藝節(jié)點，使芯片性能更高、功耗更低，IBM公司采用了全新的鍺硅溝道晶體管技術和極紫外光刻技術。
該研究是IBM公司2014年啟動的投資30億美元、為期5年的芯片研發(fā)計劃的一部分，其合作團隊包括紐約州立大學、格羅方德公司、三星公司以及多家半導體工藝設備供應商。
目前的微處理器采用22納米和14納米工藝技術。IBM公司的這一成就跨越了仍有待進一步成熟的10納米半導體技術。與10納米半導體技術相比，IBM公司的7納米芯片有望實現(xiàn)芯片面積縮小50%,功耗性能比提高50%,將有助于大數(shù)據(jù)、云計算和移動計算等技術的發(fā)展。
IBM公司實現(xiàn)7納米工藝節(jié)點這一里程碑成就，建立在該公司以往對硅和半導體技術一系列創(chuàng)新的基礎上。這些創(chuàng)新包括：動態(tài)隨機存儲器、登納德等比例微縮定律、化學放大式光阻、銅連線、絕緣體上硅、應變工程、多核微處理器、浸入式光刻、高遷移率鍺硅材料、高介電常數(shù)柵材料、嵌入式動態(tài)隨機存儲器、三維芯片堆疊以及氣隙絕緣等技術。（工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所 王巍）
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