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劍指HBM 再破瓶頸!華為將發(fā)布AI突破性技術(shù)成果

8月10日消息(岳明)華為將于8月12日在2025金融AI推理應(yīng)用落地與發(fā)展論壇上,發(fā)布AI推理領(lǐng)域的突破性技術(shù)成果。據(jù)透露,這項(xiàng)成果或能降低中國(guó)AI推理對(duì)HBM(高帶寬內(nèi)存)技術(shù)的依賴(lài),提升國(guó)內(nèi)AI大模型推理性能,完善中國(guó)AI推理生態(tài)的關(guān)鍵部分。

進(jìn)入到2024以來(lái),AI推理算力需求悄然興起,成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。據(jù) Wind 轉(zhuǎn)引英偉達(dá)FY24Q4 業(yè)績(jī)會(huì)紀(jì)要,公司2024財(cái)年數(shù)據(jù)中心有40%的收入來(lái)自推理業(yè)務(wù)。IDC 數(shù)據(jù)顯示,隨著訓(xùn)練模型的完善與成熟,模型和應(yīng)用產(chǎn)品逐步投入生產(chǎn),推理端的人工智能服務(wù)器占比將隨之攀升,預(yù)計(jì)到 2027 年,用于推理的工作負(fù)載將達(dá)到 72.6%。

其實(shí),無(wú)論是訓(xùn)練還是推理,算力和存儲(chǔ)是兩個(gè)率先受益的領(lǐng)域,特別是在當(dāng)前國(guó)產(chǎn)化大趨勢(shì)下,算力和存儲(chǔ)將決定未來(lái)十年AI勝負(fù)的關(guān)鍵。但從技術(shù)與產(chǎn)品成熟度角度來(lái)看,國(guó)產(chǎn)HBM較海外產(chǎn)品存在較大技術(shù)差距。在這種情況下,“彎道超車(chē)”是更好的選擇。

正如華為CEO任正非所言,“華為單芯片還是落后美國(guó)一代”,“但我們用數(shù)學(xué)補(bǔ)物理、非摩爾補(bǔ)摩爾,用群計(jì)算補(bǔ)單芯片,在結(jié)果上也能達(dá)到實(shí)用狀況。 ”CloudMatrix 384已經(jīng)在AI算力上實(shí)現(xiàn)了“彎道超車(chē)”,在HBM上,我們也同樣期待。

什么是HBM

高帶寬內(nèi)存(HBM) 是下一代 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)技術(shù),可實(shí)現(xiàn)超高速和寬數(shù)據(jù)傳輸,主要用于解決大模型訓(xùn)練與推理的內(nèi)存帶寬瓶頸問(wèn)題。

HBM的核心創(chuàng)新在于其獨(dú)特的3D堆疊結(jié)構(gòu),其中多個(gè)DRAM芯片(4層、8層甚至12層)使用先進(jìn)的封裝技術(shù)垂直堆疊。3D結(jié)構(gòu)使 HBM 能夠以比 GDDR 等傳統(tǒng)內(nèi)存解決方案高得多的帶寬(數(shù)據(jù)傳輸速率)運(yùn)行。

HBM憑借高帶寬和低延遲特性,成為AI大模型訓(xùn)練與推理的關(guān)鍵組件。在AI芯片 中,HBM作為“ L4緩存 ”,可提升數(shù)據(jù)讀寫(xiě)效率,緩解內(nèi)存帶寬瓶頸,從而增強(qiáng)AI模型的運(yùn)算能力。

HBM市場(chǎng)格局

與GPGPU產(chǎn)品一樣,HBM特別是HBM3規(guī)格以上的產(chǎn)品,需求量非常大,且一直被國(guó)外廠商所壟斷。

2025年初,HBM3芯片現(xiàn)貨價(jià)較2024年初暴漲300%,單臺(tái)AI服務(wù)器的DRAM用量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍。

從市場(chǎng)格局來(lái)看,還是以海外廠商為主:SK海力士的市場(chǎng)份額53%,率先量產(chǎn)HBM3E;三星電子的市場(chǎng)份額占比38%,計(jì)劃2025年將HBM供應(yīng)量擴(kuò)大至去年兩倍;美光科技的市場(chǎng)份額10%,目標(biāo)2025年市占率提升至20%以上。國(guó)內(nèi)廠商以長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為主,推出國(guó)產(chǎn)DDR5內(nèi)存,打破三星、SK海力士與美光壟斷,HBM業(yè)務(wù)同步發(fā)展。


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2025-08-10
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