光刻機一直是中國芯片之痛，原因就是某國一直阻止光刻機巨頭ASML將先進的EUV光刻機賣給中國，由此導致中國利用現(xiàn)有的光刻機發(fā)展到7納米之后，前進的難度異常大，為此中國一直試圖自己研發(fā)先進的光刻機，或是發(fā)展新的芯片制造技術。
研發(fā)先進的光刻機不容易，因為光刻機本身就是一個龐大的產(chǎn)業(yè)鏈，即使是ASML也需要與全球5000多家企業(yè)合作，德國企業(yè)提供鏡片，美國提供光學技術等等，由此ASML才能生產(chǎn)出高度精密的EUV光刻機。
中國如果發(fā)展EUV光刻機就得發(fā)展自己的光刻機產(chǎn)業(yè)鏈，這方面確實也已取得了一些突破性進展，然而即使在其中幾個關鍵技術取得突破，還需要在其他方面取得突破，難度極大，然而中國芯片卻無法等待，畢竟全球的先進芯片已發(fā)展到2納米工藝了。
為此研發(fā)新的技術路線就提上了日程，而這方面日本也給中國提供了啟示，日本曾主導光刻機市場，不過在浸潤式光刻機和EUV光刻機已落后于ASML，這也導致日本光刻機產(chǎn)業(yè)的衰落，據(jù)悉目前日本光刻機主要是干式光刻機，占有的市場份額已不到四成，而ASML則占據(jù)了六成。
擁有光刻機技術的日本光刻機產(chǎn)業(yè)當然不甘心由ASML獨占這個市場，為此日本佳能開發(fā)出NIL工藝，NIL工藝可以發(fā)展到5納米，而且佳能的NIL工藝已被存儲芯片企業(yè)日本鎧俠采用，證明了確實可以開發(fā)出無需光刻機的芯片制造技術。
對于ASML來說，當前的光刻機技術似乎也已到了盡頭，ASML就曾表示它當下的最先進光刻機--2納米光刻機可能就是最后一代光刻機，這種光刻技術已很難進一步進化。
事實上，全球芯片行業(yè)也在考慮其他芯片制造技術，其中電子束光刻就是其中之一，這次傳出的中國開發(fā)新的芯片制造技術正是電子束光刻技術。
據(jù)悉中國浙江這家企業(yè)開發(fā)的電子束光刻技術可以在硅片上刻出0.6納米的精度和8納米的線寬，這已是相當先進的技術，比當下中國以現(xiàn)有的DUV光刻機生產(chǎn)的7納米工藝先進得多。
此外采用電子束光刻技術可以比EUV光刻機進一步降低生產(chǎn)成本，當前的光刻機技術生產(chǎn)芯片耗電極大，臺積電的工廠耗電量就占了中國臺灣省大約8%的電力，以至于業(yè)界擔憂臺積電進一步開發(fā)更先進的工藝，中國臺灣省未必可以給臺積電供給足夠的電力了，而電子束光刻技術消耗的電力遠比現(xiàn)有的光刻機少。
或許有人質疑浙江這家企業(yè)開發(fā)的電子束光刻技術較為落后，線寬8納米比臺積電的2納米落后，其實不然，從28納米之后全球芯片制造企業(yè)的先進工藝都是等效工藝了，臺積電的7納米工藝就與Intel的14納米線寬差不多，所以臺積電的2納米工藝線寬可能與8納米差不多。
更重要的是電子束光刻技術不僅可以為當下的硅基芯片用，還可以用于未來的量子芯片、光子芯片等技術，而量子芯片、光子芯片等被視為可能替代當下硅基芯片的技術。
可以說中國在電子光刻技術方面的突破性進展，不僅將補上中國在現(xiàn)有硅基芯片技術上芯片制造技術短板，更有助于中國加速量子芯片、光子芯片的商用化，進而實現(xiàn)芯片技術的彎道超車。
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