光刻機(jī)一直是中國芯片之痛，原因就是某國一直阻止光刻機(jī)巨頭ASML將先進(jìn)的EUV光刻機(jī)賣給中國，由此導(dǎo)致中國利用現(xiàn)有的光刻機(jī)發(fā)展到7納米之后，前進(jìn)的難度異常大，為此中國一直試圖自己研發(fā)先進(jìn)的光刻機(jī)，或是發(fā)展新的芯片制造技術(shù)。

研發(fā)先進(jìn)的光刻機(jī)不容易，因?yàn)楣饪虣C(jī)本身就是一個(gè)龐大的產(chǎn)業(yè)鏈，即使是ASML也需要與全球5000多家企業(yè)合作，德國企業(yè)提供鏡片，美國提供光學(xué)技術(shù)等等，由此ASML才能生產(chǎn)出高度精密的EUV光刻機(jī)。

中國如果發(fā)展EUV光刻機(jī)就得發(fā)展自己的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈，這方面確實(shí)也已取得了一些突破性進(jìn)展，然而即使在其中幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)取得突破，還需要在其他方面取得突破，難度極大，然而中國芯片卻無法等待，畢竟全球的先進(jìn)芯片已發(fā)展到2納米工藝了。

為此研發(fā)新的技術(shù)路線就提上了日程，而這方面日本也給中國提供了啟示，日本曾主導(dǎo)光刻機(jī)市場，不過在浸潤式光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)已落后于ASML，這也導(dǎo)致日本光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的衰落，據(jù)悉目前日本光刻機(jī)主要是干式光刻機(jī)，占有的市場份額已不到四成，而ASML則占據(jù)了六成。

擁有光刻機(jī)技術(shù)的日本光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)當(dāng)然不甘心由ASML獨(dú)占這個(gè)市場，為此日本佳能開發(fā)出NIL工藝，NIL工藝可以發(fā)展到5納米，而且佳能的NIL工藝已被存儲芯片企業(yè)日本鎧俠采用，證明了確實(shí)可以開發(fā)出無需光刻機(jī)的芯片制造技術(shù)。

對于ASML來說，當(dāng)前的光刻機(jī)技術(shù)似乎也已到了盡頭，ASML就曾表示它當(dāng)下的最先進(jìn)光刻機(jī)--2納米光刻機(jī)可能就是最后一代光刻機(jī)，這種光刻技術(shù)已很難進(jìn)一步進(jìn)化。

事實(shí)上，全球芯片行業(yè)也在考慮其他芯片制造技術(shù)，其中電子束光刻就是其中之一，這次傳出的中國開發(fā)新的芯片制造技術(shù)正是電子束光刻技術(shù)。

據(jù)悉中國浙江這家企業(yè)開發(fā)的電子束光刻技術(shù)可以在硅片上刻出0.6納米的精度和8納米的線寬，這已是相當(dāng)先進(jìn)的技術(shù)，比當(dāng)下中國以現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)生產(chǎn)的7納米工藝先進(jìn)得多。

此外采用電子束光刻技術(shù)可以比EUV光刻機(jī)進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本，當(dāng)前的光刻機(jī)技術(shù)生產(chǎn)芯片耗電極大，臺積電的工廠耗電量就占了中國臺灣省大約8%的電力，以至于業(yè)界擔(dān)憂臺積電進(jìn)一步開發(fā)更先進(jìn)的工藝，中國臺灣省未必可以給臺積電供給足夠的電力了，而電子束光刻技術(shù)消耗的電力遠(yuǎn)比現(xiàn)有的光刻機(jī)少。

或許有人質(zhì)疑浙江這家企業(yè)開發(fā)的電子束光刻技術(shù)較為落后，線寬8納米比臺積電的2納米落后，其實(shí)不然，從28納米之后全球芯片制造企業(yè)的先進(jìn)工藝都是等效工藝了，臺積電的7納米工藝就與Intel的14納米線寬差不多，所以臺積電的2納米工藝線寬可能與8納米差不多。

更重要的是電子束光刻技術(shù)不僅可以為當(dāng)下的硅基芯片用，還可以用于未來的量子芯片、光子芯片等技術(shù)，而量子芯片、光子芯片等被視為可能替代當(dāng)下硅基芯片的技術(shù)。

可以說中國在電子光刻技術(shù)方面的突破性進(jìn)展，不僅將補(bǔ)上中國在現(xiàn)有硅基芯片技術(shù)上芯片制造技術(shù)短板，更有助于中國加速量子芯片、光子芯片的商用化，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)芯片技術(shù)的彎道超車。

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